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- [发明专利]晶圆基板布线方法、装置及可读存储介质-CN202311102899.3在审
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叶德好;万智泉;邓庆文
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之江实验室
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2023-08-30
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2023-10-03
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H01L23/485
- 本申请涉及一种晶圆基板布线方法、装置及可读存储介质，应用于晶上系统，晶上系统包括依次连接的标准预制件、晶圆基板和芯片配置基板，晶圆基板包括多个重布线层；该方法包括：获取微凸点阵列中各微凸点的位置信息、与各微凸点分别连接的标准预制件管脚的功能信息，以及微焊盘阵列中各微焊盘的位置信息、与各微焊盘分别连接的芯片配置基板管脚的功能信息；基于各微凸点的位置信息和对应的功能信息，以及与微凸点对应的微焊盘的位置信息，生成各微凸点、微焊盘对应的布线路径和通孔，以连接微凸点与对应的微焊盘，微焊盘对应的功能信息与微凸点对应的功能信息相同，实现晶圆基板的自动绕线，解决了缺少晶圆基板自动布线方法的问题。
- 晶圆基板布线方法装置可读存储介质
- [发明专利]铟铁凸点微晶材料及铟铁凸点微晶压电盘制备方法-CN202210533636.7在审
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林铭;林逸彬;李柏森;潘威;黄俊铭
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林铭
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2022-05-17
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2022-08-05
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H01L41/047
- 本发明公开了铟铁凸点微晶材料及铟铁凸点微晶压电盘制备方法,本发明的铟铁凸点微晶材料及铟铁凸点微晶压电盘制备方法，是在厚度小于4mm的工业纯铁或钢或含铁超过40%(Wt%)合金材料表面，设一含铟超过50%(Wt%)且含铁超过10%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)的复合材料层，在复合材料层表面设有许多个凸点微晶，每个凸点微晶高度不大于100nm、直径不大于100nm的顶部为球状或近似球状，或凸点微晶高度不大于100nm的近似椭圆、椭圆最大长度不超过200nm的顶部为球状或近似球状或近似椭圆状，凸点微晶含铟超过50%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)，凸点微晶与复合材料层成为一体；零件表面复合材料层和基体材料成为一体，形成铟铁凸点微晶材料。
- 铟铁凸点微晶材料压电制备方法
- [发明专利]一种三维粗糙表面微凸体拟合方法-CN201811155174.X有效
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唐进元;温昱钦
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中南大学
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2018-09-30
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2022-12-13
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G06F30/17
- 本发明公开了一种三维粗糙表面微凸体拟合方法，包括以下步骤：a.测量待拟合粗糙表面的表面形貌离散点高度矩阵z(i,j)；b.计算得到表面平均高度面h0，取其为拟合参考面；c.对表面形貌离散点进行分割，划分为若干封闭区域；d.根据拟合参考面以及表面形貌离散点高度之间的相互关系，对每一个封闭区域内的离散点进行判断，将符合微凸体特征的离散点序列判定为微凸体；e.以步骤d中判定得到的微凸体，根据最小均方误差，用椭球面对每个微凸体的离散点进行拟合，得到拟合后椭球方程，据此计算微凸体平均曲率半径、微凸体密度、微凸体峰点高度标准偏差等表面微凸体参数。本发明的一种三维粗糙表面微凸体拟合方法，具有测量精确的优点。
- 一种三维粗糙表面微凸体拟合方法
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